Вы исследуете образец арсенида галлия с собственной проводимостью при температуре 330 К. Его удельное сопротивление ρ = 8 Ом*м. Подвижность
Физика | ||
Решение задачи | ||
Выполнен, номер заказа №16546 | ||
Прошла проверку преподавателем МГУ | ||
Напишите мне в чат, пришлите ссылку на эту страницу в чат, оплатите и получите файл! |
Закажите у меня новую работу, просто написав мне в чат! |
Вы исследуете образец арсенида галлия с собственной проводимостью при температуре 330 К. Его удельное сопротивление ρ = 8 Ом*м. Подвижность электронов μn= 1 м2 /(В*с), подвижность дырок μp= 0,04 м2 /(В*с) 2 2 19 23 : 300 8 1 0,04 1,6 10 1,38 10 n p Дано T К Ом м м В с м В с e Кл Дж k К
Задание 1 1) В удельную проводимость полупроводника дают вклад носители двух типов - электроны и дырки: у n p т p , где n и μn концентрация и подвижность электронов, p и μp концентрация и подвижность дырок. Учитывая, что удельная проводимость обратно пропорциональна удельному сопротивлению и что в собственном полупроводнике концентрации электронов ni и дырок pi равны, для концентрации получим: На рисунке 1 показана энергетическая диаграмма собственного полупроводника, в котором происходит процесс генерации носителей заряда. При абсолютном нуле зона проводимости пустая, как у диэлектриков, а уровни валентной зоны полностью заполнены. Под действием избыточной энергии ΔW0, появляющейся за счет температуры, облучения, сильных электрических полей и т.д., некоторая часть электронов валентной зоны переходит в зону проводимости. Энергия ΔW0 в случае беспримесного полупроводника, равна ширине запрещенной зоны и называется энергией активации. В валентной зоне остается свободное энергетическое состояние, называемое дыркой, имеющей единичный положительный заряд.
Ответ: 1) 17 3 1 n p i i 7,5 10 м
Похожие готовые решения по физике:
- Вы исследуете образец арсенида галлия с собственной проводимостью при температуре 330 К. Его удельное сопротивление ρ = 8 Ом*м. Подвижность электронов
- Вы исследуете образец арсенида галлия с собственной проводимостью при температуре 330 К. Его удельное сопротивление
- Дано N При отсутствии внешних воздействий (освещение, электрическое поле и т.д.) концентрации свободных электронов и дырок обозначаются
- Дано N см м N см м e Кл ширина p-n перехода определяется по формуле Где φ0 – скачок потенциала в p-n переходе , pp – концентрация дырок в p области
- Молярная теплоемкость 𝐶𝑉 идеального газа известна. Найти его молярную теплоемкость в процессе, происходящем по закону
- Вычислить дисперсию 𝜎 2 распределения с плотностью вероятности 𝑓(𝑥) = 0 при 𝑥 ≤ 0, и 𝑓(𝑥) = 𝐴𝑒 −𝑥 при 𝑥 > 0
- Найти градиент температуры у поверхности Земли (h=0), если концентрация молекул кислорода не меняется с высотой.
- Используя распределение Максвелла, вычислить среднее 〈 1 𝑣 2 〉 при температуре T, где v- модуль скорости молекул, масса молекулы равна m0.
- Атомное ядро, поглотившее γ-фотон с длиной волны λ = 0,2 пм, пришло в возбужденное состояние и распалось
- В таблице приведена зависимость проводимости от обратной температуры для некоторого полупроводника р-типа. По данным таблицы
- За время t = 8 сут распалось k = 3/4 начального количества ядер радиоактивного изотопа. Определить период
- Вы исследуете образец арсенида галлия с собственной проводимостью при температуре 330 К. Его удельное сопротивление ρ = 8 Ом*м. Подвижность электронов