Автор Анна Евкова
Преподаватель который помогает студентам и школьникам в учёбе.
На рисунке изображена зависимость натурального логарифма электропроводности от обратной
Физика | ||
Решение задачи | ||
Выполнен, номер заказа №16563 | ||
Прошла проверку преподавателем МГУ | ||
Напишите мне в чат, пришлите ссылку на эту страницу в чат, оплатите и получите файл! |
Закажите у меня новую работу, просто написав мне в чат! |
Описание заказа и 38% решения ( + фото):
На рисунке изображена зависимость натурального логарифма электропроводности от обратной температуры для двух полупроводников, с разной концентрацией примеси. Из нижеприведенных утверждений выберите верные для данного случая и поясните свой выбор. 1) Эти полупроводники имеют разную энергию активации собственных носителей тока. 2) Энергии активации носителей в области примесной проводимости полупроводников совпадают. 3) Ширина запрещенной зоны проводимости полупроводников (Еg) в полупроводнике А больше, чем в полупроводнике В. 4) Температура начала собственной проводимости в полупроводнике А выше, чем в полупроводнике В. Проанализируйте все утверждения и укажите верные.
Решение:
Электропроводность определяется выражением концентрация свободных носителей заряда, величина заряда каждого из них; μ − подвижность носителей заряда, равная средней скорости носителя заряда (υ) к напряженности поля (E): . В области низких температур участок зависимости между точками 1 и 2 характеризует только концентрацию носителей, обусловленную примесями. То есть утверждение не верно. В дальнейшем температура возрастает настолько, что начинается быстрый рост концентрации носителей вследствие перехода электронов через запрещенную зону. Наклон этого участка характеризует ширину запрещенной зоны полупроводника. Наклон верхнего участка зависит от энергии ионизации примесей. То есть первое утверждение верно. Ответ:
Решение:
Электропроводность определяется выражением концентрация свободных носителей заряда, величина заряда каждого из них; μ − подвижность носителей заряда, равная средней скорости носителя заряда (υ) к напряженности поля (E): . В области низких температур участок зависимости между точками 1 и 2 характеризует только концентрацию носителей, обусловленную примесями. То есть утверждение не верно. В дальнейшем температура возрастает настолько, что начинается быстрый рост концентрации носителей вследствие перехода электронов через запрещенную зону. Наклон этого участка характеризует ширину запрещенной зоны полупроводника. Наклон верхнего участка зависит от энергии ионизации примесей. То есть первое утверждение верно. Ответ:
- В конкретном эксперименте по циклотронному резонансу В=0,13 Вб/м2 , а максимальное поглощение обнаружено
- Определить работу выхода электронов из натрия (Ав ,эВ), если красная граница фотоэффекта λ0 = 500 нм. Чему равна
- Сколько атомов распадается за 1 год в 1 г урана 92𝑈 235 ? Период полураспада урана 4,5∙109 лет. Дано
- Определить интенсивность светового луча после прохождения слоя раствора толщиной 10 см, если начальная интенсивность